颁布功夫：：2020-04-25 | 观光：：5521
内容提要：：硅烷在半导体工业中重要用于制作高纯多晶硅、 、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、 、氮化硅薄膜、 、多晶硅隔离层、 、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延成长原料、 、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、 、光导纤维和光电传感器等。
1、 、硅烷（SiH4）：：有毒。硅烷在半导体工业中重要用于制作高纯多晶硅、 、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、 、氮化硅薄膜、 、多晶硅隔离层、 、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延成长原料、 、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、 、光导纤维和光电传感器等。
2、 、锗烷（GeH4）：：剧毒。金属锗是一种优良的半导体资料，锗烷在电子工业中重要用于化学气相淀积，形成各类分歧的硅锗合金用于电子元器件的制作。
3、 、磷烷（PH3）：：剧毒。重要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、 、外延GaP资料、 、离子注入工艺、 、化合物半导体的MOCVD工艺、 、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。
4、 、砷烷（AsH3）：：剧毒。重要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。
5、 、氢化锑（SbH3）：：剧毒。用作制作n型硅半导体时的气相掺杂剂。
6、 、乙硼烷（B2H6）：：窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、 、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。
7、 、三氟化硼（BF3）：：有毒，极强刺激性。重要用作P型掺杂剂、 、离子注入源和等离子刻蚀气体。
8、 、三氟化氮（NF3）：：毒性较强。重要用于化学气相淀积（CVD）装置的洗濯。三氟化氮能够单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例 如，NF3、 、NF3/Ar、 、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；；NF3/CCl4、 、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀 刻。
9、 、三氟化磷（PF3）：：毒性极强。作为气态磷离子注入源。
10、 、四氟化硅（SiF4）：：遇水天生侵蚀性极强的氟硅酸。重要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、 、发光二极管P型掺杂、 、离子注入工艺、 、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
11、 、五氟化磷（PF5）：：在湿润的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。
12、 、四氟化碳（CF4）：：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、 、氮化硅的等离子蚀刻剂。
13、 、六氟乙烷（C2H6）：：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气。
14、 、全氟丙烷（C3F8）：：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、 、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。
半导体工业常用的混合气体
1、 、外延（成长）混合气：：在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的步骤，成长一层或多层资料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气体有二 氯二氢硅（DCS）、 、四氯化硅（SiCl4）和硅烷等。重要用于外延硅淀积、 、氧化硅膜淀积、 、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其它光感触器的非晶硅膜淀积等。外 延是一种单晶资料淀积并成长在衬底理论上的过程。
2、 、化学气相淀积（CVD）用混合气：：CVD是利用挥发性化合物，通过气相化学反映淀积某种单质和化合物的一种步骤，即利用气相化学反映的一种成膜步骤。凭据成膜种类，使用的化学气相淀积（CVD）气体也分歧。
3、 、掺杂混合气：：在半导体器件和集成电路制作中，进口电子气体加微信号bluceren征询相识。将某些杂质掺入半导体资料内，使资料拥有所必要的导电类 型和肯定的电阻率，以制作电阻、 、PN结、 、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。重要蕴含砷烷、 、磷烷、 、三氟化磷、 、五氟化磷、 、三氟化砷、 、五氟化砷、 、三氟化 硼、 、乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混合，混合后气流陆续注入扩散炉内并环抱晶片周围，在晶片理论沉积上掺杂剂，进而与硅反映 天生掺杂金属而徙动进入硅。
4、 、蚀刻混合气：：蚀刻就是将基片上无光刻胶遮掩的加工理论（如金属膜、 、氧化硅膜等）蚀刻掉，而使有光刻胶遮掩的区域保留下来，以便在基片理论上获得所必要 的成像图形。蚀刻步骤有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常多为氟化物气体（卤化物类），例如四氟化碳、 、三氟化 氮、 、三氟甲烷、 、六氟乙烷、 、全氟丙烷等。
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